محاسبه ساختار نواری نانو ساختارهای سیلیکان متخلخل به روش بستگی قوی تعمیم یافته

بررسی خواص پراکندگی سیلیکان متخلخل

  Porous silicon (PS) layers come into existance as a result of electrochemical anodization on silicon. Although a great deal of research has been done on the formation and optical properties of this material, the exact mechanism involved is not well-understood yet.   In this article, first, the optical properties of silicon and porous silicon are described. Then, previous research and the prop...

اندازه‌گیری هیدروژن در عمق نمونۀ سیلیکان متخلخل به روش آشکارسازی ذرات پس‌زده از برخورد کشسان

Porous silicon (PS) samples are obtained by electrochemical anodization of Si wafers in HF+DMF solution. The hydrogen complex components are formed on the inner surface walls of porous silicon. In this work the depth profile of porous silicon is estimated by measurement of hydrogen content in the depth of the sample. Since the well-known ion beam analysis simulation programs are inappropriate f...

واهلش دی الکتریک نانو ساختار های سیلیکان متخلخل

برای ساخت سیلیکان متخلخل از ویفر سیلیکان نوع p با مقاومت -cm? 10-1 و با جهت بلوری (100) استفاده شده است. تخلخل بوسیله فرآیند الکتروشیمیایی، در محلول حاوی اسید hf و اتانول و با نسبت حجمی (1:1) صورت گرفته است. در طول زمان آندیزاسیون تمامی عوامل موثر بر میزان تخلخل مانند جنس سیلیکان زیر لایه، نوع محلول، شرایط محیط ( روشنایی، دمای محیط، میزان رطوبت) و چگالی جریان ثابت نگاه داشته شده و تنها با تغبیر...

رسانش الکتریکی همدوس یک نانو لوله کربنی در رهیافت بستگی قوی

In this study, we derive analytically Green’s function (GF) formalism to calculate the electrical conductance for an armchair SWCNT in the ballistic regime. We obtain an exact analytical formula for the conductance of the SWCNT, in the tight-binding approach and assuming nearest-neighbor interaction by recursion process in the GF formalism. We show that in the presence of uniform external poten...

رشد نانو ساختار متخلخل اکسید روی بر روی ذرات آلومینا به روش رسوب دهی ناهمگن

حل مساله تخصیص تعمیم یافته به روش شبکه عصبی